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東芝:次世代AIデータセンターの高効率化に貢献する1200Vトレンチゲート型SiC MOSFETのテストサンプル出荷開始: 画像一覧(2)

  • 東芝:1200Vトレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」
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